RJK5030DPD-03#J2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RJK5030DPD-03#J2-HXY
该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）、5A的连续漏极电流（ID）以及1300毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其电气特性适用于中等功率的开关应用， 在较高电压环境下仍能维持稳定工作。 典型应用场景包括开关电源、LED驱动电路、电机控制及各类通用电子设备中的功率开关环节， 能够满足对电压耐受能力和基本导通性能的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
RJK5030DPD-03#J2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
RJK5030DPD-03#J2-HXY概述
该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）、5A的连续漏极电流（ID）以及1300毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其电气特性适用于中等功率的开关应用， 在较高电压环境下仍能维持稳定工作。 典型应用场景包括开关电源、LED驱动电路、电机控制及各类通用电子设备中的功率开关环节， 能够满足对电压耐受能力和基本导通性能的需求。
RJK5030DPD-03#J2-HXY特性
暂无产品特性。
RJK5030DPD-03#J2-HXY应用领域
暂无应用领域。