RJK5030DPD-00#J2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RJK5030DPD-00#J2-HXY
该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V， 连续漏极电流（ID）为5A， 导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧。 器件在高电压条件下仍能维持稳定的开关性能， 适用于对耐压能力有一定要求的电子系统。 其结构特性使其在电源转换、充电设备、照明控制以及通用开关电路中能够可靠工作， 满足多种常规电子装置对功率器件的基本需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
99
货期
现货
RJK5030DPD-00#J2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
RJK5030DPD-00#J2-HXY概述
该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V， 连续漏极电流（ID）为5A， 导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧。 器件在高电压条件下仍能维持稳定的开关性能， 适用于对耐压能力有一定要求的电子系统。 其结构特性使其在电源转换、充电设备、照明控制以及通用开关电路中能够可靠工作， 满足多种常规电子装置对功率器件的基本需求。
RJK5030DPD-00#J2-HXY特性
暂无产品特性。
RJK5030DPD-00#J2-HXY应用领域
暂无应用领域。