RJK03M6DNS-00#J5-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
RJK03M6DNS-00#J5-HXY
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A， 最大漏源电压为30V， 导通电阻典型值为7.5毫欧。 其低导通电阻有助于降低导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持较低温升。 器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、负载开关及同步整流等应用场合。 由于具备良好的开关特性和稳定的电气参数， 可在多种电子系统中实现可靠的功率控制与管理。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
RJK03M6DNS-00#J5-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
RJK03M6DNS-00#J5-HXY概述
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A， 最大漏源电压为30V， 导通电阻典型值为7.5毫欧。 其低导通电阻有助于降低导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持较低温升。 器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、负载开关及同步整流等应用场合。 由于具备良好的开关特性和稳定的电气参数， 可在多种电子系统中实现可靠的功率控制与管理。
RJK03M6DNS-00#J5-HXY特性
暂无产品特性。
RJK03M6DNS-00#J5-HXY应用领域
暂无应用领域。