RJK03B9DPA-00#J5A-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
RJK03B9DPA-00#J5A-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为6.5毫欧， 栅源电压（VGS）额定值为±20V。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流应用中维持较低温升。 适用于电源转换、电机驱动及高效率开关电路等场景， 能够支持快速开关操作并保持良好的热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
RJK03B9DPA-00#J5A-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
RJK03B9DPA-00#J5A-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为6.5毫欧， 栅源电压（VGS）额定值为±20V。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流应用中维持较低温升。 适用于电源转换、电机驱动及高效率开关电路等场景， 能够支持快速开关操作并保持良好的热稳定性。
RJK03B9DPA-00#J5A-HXY特性
暂无产品特性。
RJK03B9DPA-00#J5A-HXY应用领域
暂无应用领域。