RJK03B9DPA-00#J53-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
RJK03B9DPA-00#J53-HXY
该N沟道MOSFET具有50A的漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(on)）为6.5毫欧， 栅源电压（VGS）额定值达20V。 低导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗与温升， 适合用于对效率和热管理要求较高的开关电源、电机驱动及各类直流功率转换电路中， 能够支持高频操作并维持良好的电气稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
RJK03B9DPA-00#J53-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
RJK03B9DPA-00#J53-HXY概述
该N沟道MOSFET具有50A的漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(on)）为6.5毫欧， 栅源电压（VGS）额定值达20V。 低导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗与温升， 适合用于对效率和热管理要求较高的开关电源、电机驱动及各类直流功率转换电路中， 能够支持高频操作并维持良好的电气稳定性。
RJK03B9DPA-00#J53-HXY特性
暂无产品特性。
RJK03B9DPA-00#J53-HXY应用领域
暂无应用领域。