RJK03B7DPA-00#J5A-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4.7毫欧， 栅源驱动电压（VGS）最大额定值为20V。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统效率， 适用于高电流、高频开关场合。 典型应用包括电源转换模块、电池管理系统、电机驱动电路以及各类需要高效能功率开关的电子设备中。