RJK0396DPA-00#J53-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.5毫欧。 低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高电流、高频开关场景， 可有效用于电源转换、电机控制及各类对效率和热管理要求较高的电子系统中。