RJK0393DPA-00#J53-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
RJK0393DPA-00#J53-HXY
该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为3.5毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其低导通电阻有助于在大电流应用中有效降低功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高频率开关电源、直流-直流转换器以及对热性能和空间布局有较高要求的电子设备中， 能够在保持稳定工作的同时减少散热设计复杂度。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
95
货期
现货
RJK0393DPA-00#J53-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
RJK0393DPA-00#J53-HXY概述
该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为3.5毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其低导通电阻有助于在大电流应用中有效降低功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高频率开关电源、直流-直流转换器以及对热性能和空间布局有较高要求的电子设备中， 能够在保持稳定工作的同时减少散热设计复杂度。
RJK0393DPA-00#J53-HXY特性
暂无产品特性。
RJK0393DPA-00#J53-HXY应用领域
暂无应用领域。