RJK0366DPA-00#J0-HXY

该N沟道MOSFET具备50A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在栅源电压为20V时导通电阻为6.5毫欧。 其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换电路。 典型应用场景包括开关电源、电池管理系统中的功率开关以及各类高频率、高效率的电子负载控制模块。