RJK0355DPA-01#J0B-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
RJK0355DPA-01#J0B-HXY
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为50A， 最大漏源电压为30V， 在栅源电压20V驱动下导通电阻为6.5毫欧。 器件在导通状态下具有较低的功率损耗， 适用于对能效和热管理要求较高的电路设计。 典型应用包括直流-直流转换器、电源开关模块以及需要高频操作和低导通压降的电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
RJK0355DPA-01#J0B-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
RJK0355DPA-01#J0B-HXY概述
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为50A， 最大漏源电压为30V， 在栅源电压20V驱动下导通电阻为6.5毫欧。 器件在导通状态下具有较低的功率损耗， 适用于对能效和热管理要求较高的电路设计。 典型应用包括直流-直流转换器、电源开关模块以及需要高频操作和低导通压降的电子系统中。
RJK0355DPA-01#J0B-HXY特性
暂无产品特性。
RJK0355DPA-01#J0B-HXY应用领域
暂无应用领域。