RJK0354DSP-HXY

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有18A的漏极电流能力和30V的漏源击穿电压， 适用于多种中高功率电路场景。 器件导通电阻低至5mΩ， 显著降低导通损耗， 提升整体效率。 采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于电源适配器、储能系统、便携式电子设备及高性能计算模块中的开关与控制电路设计。