RJJ1011DPD-VB
IC
TO-252
可供量大可议
RJJ1011DPD-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能单P型场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于多个领域和模块。 TO252； P—Channel沟道, -100V； -40A； RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
Brand
VBsemi
Package
TO-252
Stock
10
货期
现货
RJJ1011DPD-VBParameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
RJJ1011DPD-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能单P型场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于多个领域和模块。 TO252； P—Channel沟道, -100V； -40A； RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
RJJ1011DPD-VB特性
暂无产品特性。
RJJ1011DPD-VB应用领域
暂无应用领域。