RJH60F7DPQ-A0#T0
IC
TO-247A
可供量大可议
RJH60F7DPQ-A0#T0
特性：低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.35V 典型值（IC = 50A， VGE = 15V， Ta = 25℃）。 单封装内置快速恢复二极管。 沟槽栅和薄晶圆技术。 高速开关：tf = 74ns 典型值（IC = 30A， VCE = 400V， VGE = 15V， Rg = 5Ω， Ta = 25℃， 感性负载）
品牌
RENESAS/IDT
封装
TO-247A
库存
200
货期
现货
RJH60F7DPQ-A0#T0参数
| 封装 | TO-247A |
|---|---|
| 品牌 | RENESAS(瑞萨)/IDT |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 200 |
RJH60F7DPQ-A0#T0概述
特性：低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.35V 典型值（IC = 50A， VGE = 15V， Ta = 25℃）。 单封装内置快速恢复二极管。 沟槽栅和薄晶圆技术。 高速开关：tf = 74ns 典型值（IC = 30A， VCE = 400V， VGE = 15V， Rg = 5Ω， Ta = 25℃， 感性负载）
RJH60F7DPQ-A0#T0特性
暂无产品特性。
RJH60F7DPQ-A0#T0应用领域
暂无应用领域。