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RHRP860-R4647P-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

RHRP860-R4647P-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料特性, 具备低导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 器件结构设计支持快速恢复特性, 有助于降低系统整体能耗并提升运行稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

RHRP860-R4647P-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

RHRP860-R4647P-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料特性, 具备低导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 器件结构设计支持快速恢复特性, 有助于降低系统整体能耗并提升运行稳定性。

RHRP860-R4647P-HXY特性

暂无产品特性。

RHRP860-R4647P-HXY应用领域

暂无应用领域。

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