RHRP860-F085-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
RHRP860-F085-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有8A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)典型值为1.38V, 可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及类似对体积与能效有较高要求的电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
RHRP860-F085-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
RHRP860-F085-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有8A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)典型值为1.38V, 可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及类似对体积与能效有较高要求的电子系统中。
RHRP860-F085-HXY特性
暂无产品特性。
RHRP860-F085-HXY应用领域
暂无应用领域。
