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RHRD660S9A_NL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RHRD660S9A_NL-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.3V, 在高温或高频率工作条件下仍能维持较低导通损耗。 反向漏电流仅为50μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换场合, 如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

42

货期

现货

RHRD660S9A_NL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存42

RHRD660S9A_NL-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.3V, 在高温或高频率工作条件下仍能维持较低导通损耗。 反向漏电流仅为50μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换场合, 如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。

RHRD660S9A_NL-HXY特性

暂无产品特性。

RHRD660S9A_NL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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