RHRD660S9A_NL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RHRD660S9A_NL-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.3V, 在高温或高频率工作条件下仍能维持较低导通损耗。 反向漏电流仅为50μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换场合, 如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
42
货期
现货
RHRD660S9A_NL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 42 |
RHRD660S9A_NL-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.3V, 在高温或高频率工作条件下仍能维持较低导通损耗。 反向漏电流仅为50μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换场合, 如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。
RHRD660S9A_NL-HXY特性
暂无产品特性。
RHRD660S9A_NL-HXY应用领域
暂无应用领域。
