RHRD660S9A-F085-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构， 额定正向电流（IF）为6A， 最大反向重复电压（VR）达650V。 其正向压降（VF）典型值为1.3V， 有助于降低导通损耗； 反向漏电流（IR）仅为50μA， 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受48A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）， 适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及各类高效电能转换系统， 在高效率与高可靠性要求的场景中表现突出。