RHRD460S9A-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RHRD460S9A-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降为1.4V, 展现出较低的导通损耗。 器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流, 具备良好的瞬态电流耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关条件下仍能维持高效运行, 适用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源转换与功率因数校正等电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
18
货期
现货
RHRD460S9A-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 18 |
RHRD460S9A-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降为1.4V, 展现出较低的导通损耗。 器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流, 具备良好的瞬态电流耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关条件下仍能维持高效运行, 适用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源转换与功率因数校正等电路中。
RHRD460S9A-HXY特性
暂无产品特性。
RHRD460S9A-HXY应用领域
暂无应用领域。
