库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
RHRD460S9A-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RHRD460S9A-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降为1.4V, 展现出较低的导通损耗。 器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流, 具备良好的瞬态电流耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关条件下仍能维持高效运行, 适用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源转换与功率因数校正等电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

18

货期

现货

RHRD460S9A-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存18

RHRD460S9A-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降为1.4V, 展现出较低的导通损耗。 器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流, 具备良好的瞬态电流耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关条件下仍能维持高效运行, 适用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源转换与功率因数校正等电路中。

RHRD460S9A-HXY特性

暂无产品特性。

RHRD460S9A-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件