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RGT50NL65DGTL
IC

TO-263L

可供量大可议

RGT50NL65DGTL

IGBT-沟槽型场截止-650V-48A-194W-表面贴装型-LPDS

品牌

ROHM

封装

TO-263L

库存

2,000

货期

现货

RGT50NL65DGTL参数

封装TO-263L
品牌ROHM(罗姆)
批次26+
耗散功率(Pd)194W
集电极电流(Ic)48A
栅极阈值电压(Vge(th))5V@17.5mA
输出电容(Coes)56pF
开启延迟时间(Td(on))27ns
反向恢复时间(Trr)58ns
分类IGBT管/模块
库存2,000
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)650V
集射极饱和电压(VCE(sat))2.1V@25A, 15V
输入电容(Cies)1.4nF
反向传输电容(Cres)22pF
关断延迟时间(Td(off))88ns
工作温度-40℃~+175℃

RGT50NL65DGTL概述

IGBT-沟槽型场截止-650V-48A-194W-表面贴装型-LPDS

RGT50NL65DGTL特性

暂无产品特性。

RGT50NL65DGTL应用领域

暂无应用领域。

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