RGT40NS65DGTL
IC
TO-263-3
可供量大可议
RGT40NS65DGTL
Field Stop Trench IGBT， 低集电极 - 发射极饱和电压， 低开关损耗， 内置快速软恢复FRD， 无铅镀层， 符合RoHS标准
品牌
ROHM
封装
TO-263-3
库存
9
货期
现货
RGT40NS65DGTL参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 9 |
RGT40NS65DGTL概述
Field Stop Trench IGBT， 低集电极 - 发射极饱和电压， 低开关损耗， 内置快速软恢复FRD， 无铅镀层， 符合RoHS标准
RGT40NS65DGTL特性
暂无产品特性。
RGT40NS65DGTL应用领域
暂无应用领域。