RGT30NS65DGTL
IC
TO-263
可供量大可议
RGT30NS65DGTL
特性：低集电极-发射极饱和电压。 低开关损耗。 短路耐受时间 5μs。 内置超快软恢复 FRD（RFN 系列）。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 应用：通用逆变器。 UPS
品牌
ROHM
封装
TO-263
库存
30
货期
现货
RGT30NS65DGTL参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
RGT30NS65DGTL概述
特性：低集电极-发射极饱和电压。 低开关损耗。 短路耐受时间 5μs。 内置超快软恢复 FRD（RFN 系列）。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 应用：通用逆变器。 UPS
RGT30NS65DGTL特性
暂无产品特性。
RGT30NS65DGTL应用领域
暂无应用领域。