RGS00TS65HRC11-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
RGS00TS65HRC11-HXY
本IGBT管/模块具备50A集电极电流(Ic)与650V集射极击穿电压(Vces), 满足高耐压与大电流工作需求。 导通时集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.6V, 显著降低功率损耗。 内部集成续流二极管, 支持50A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 提升系统能效。 适用于各类高效功率转换装置, 如智能电源管理系统、高性能电机控制电路及可再生能源变换设备, 提供稳定、可靠的电气性能和良好的热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
20
货期
现货
RGS00TS65HRC11-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
RGS00TS65HRC11-HXY概述
本IGBT管/模块具备50A集电极电流(Ic)与650V集射极击穿电压(Vces), 满足高耐压与大电流工作需求。 导通时集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.6V, 显著降低功率损耗。 内部集成续流二极管, 支持50A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 提升系统能效。 适用于各类高效功率转换装置, 如智能电源管理系统、高性能电机控制电路及可再生能源变换设备, 提供稳定、可靠的电气性能和良好的热稳定性。
RGS00TS65HRC11-HXY特性
暂无产品特性。
RGS00TS65HRC11-HXY应用领域
暂无应用领域。
