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RGS00TS65HRC11-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

RGS00TS65HRC11-HXY

本IGBT管/模块具备50A集电极电流(Ic)与650V集射极击穿电压(Vces), 满足高耐压与大电流工作需求。 导通时集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.6V, 显著降低功率损耗。 内部集成续流二极管, 支持50A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 提升系统能效。 适用于各类高效功率转换装置, 如智能电源管理系统、高性能电机控制电路及可再生能源变换设备, 提供稳定、可靠的电气性能和良好的热稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

20

货期

现货

RGS00TS65HRC11-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存20

RGS00TS65HRC11-HXY概述

本IGBT管/模块具备50A集电极电流(Ic)与650V集射极击穿电压(Vces), 满足高耐压与大电流工作需求。 导通时集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.6V, 显著降低功率损耗。 内部集成续流二极管, 支持50A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 提升系统能效。 适用于各类高效功率转换装置, 如智能电源管理系统、高性能电机控制电路及可再生能源变换设备, 提供稳定、可靠的电气性能和良好的热稳定性。

RGS00TS65HRC11-HXY特性

暂无产品特性。

RGS00TS65HRC11-HXY应用领域

暂无应用领域。

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