RGP10D
IC
DO-41
可供量大可议
RGP10D
特性：1.0 安培工作电流， 环境温度 TA = 55℃ 时无热失控。 高温冶金结合结构。 玻璃钝化无空洞结。 典型反向电流 IR 小于 1μA。 快速开关， 效率高
品牌
onsemi
封装
DO-41
库存
101
货期
现货
RGP10D参数
| 封装 | DO-41 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 101 |
RGP10D概述
特性：1.0 安培工作电流， 环境温度 TA = 55℃ 时无热失控。 高温冶金结合结构。 玻璃钝化无空洞结。 典型反向电流 IR 小于 1μA。 快速开关， 效率高
RGP10D特性
暂无产品特性。
RGP10D应用领域
暂无应用领域。