RFVS8TG6SGC9-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
RFVS8TG6SGC9-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流典型值为10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流。 其快速恢复特性和较低的导通损耗使其适用于高频整流及开关电源等对转换效率和响应速度有较高要求的电路拓扑中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
RFVS8TG6SGC9-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
RFVS8TG6SGC9-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流典型值为10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流。 其快速恢复特性和较低的导通损耗使其适用于高频整流及开关电源等对转换效率和响应速度有较高要求的电路拓扑中。
RFVS8TG6SGC9-HXY特性
暂无产品特性。
RFVS8TG6SGC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
