库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
RFVS8TG6SGC9-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

RFVS8TG6SGC9-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流典型值为10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流。 其快速恢复特性和较低的导通损耗使其适用于高频整流及开关电源等对转换效率和响应速度有较高要求的电路拓扑中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

RFVS8TG6SGC9-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

RFVS8TG6SGC9-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压为600V, 正向导通压降为1.5V, 反向漏电流典型值为10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流。 其快速恢复特性和较低的导通损耗使其适用于高频整流及开关电源等对转换效率和响应速度有较高要求的电路拓扑中。

RFVS8TG6SGC9-HXY特性

暂无产品特性。

RFVS8TG6SGC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件