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RFV8TJ6SGC9-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

RFV8TJ6SGC9-HXY

该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 表现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及各类对恢复时间与能效有较高要求的电力电子电路中, 有效支持系统在高频率下的稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

RFV8TJ6SGC9-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

RFV8TJ6SGC9-HXY概述

该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 表现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及各类对恢复时间与能效有较高要求的电力电子电路中, 有效支持系统在高频率下的稳定运行。

RFV8TJ6SGC9-HXY特性

暂无产品特性。

RFV8TJ6SGC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

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