RFV8TJ6SGC9-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
RFV8TJ6SGC9-HXY
该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 表现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及各类对恢复时间与能效有较高要求的电力电子电路中, 有效支持系统在高频率下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
RFV8TJ6SGC9-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
RFV8TJ6SGC9-HXY概述
该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 表现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及各类对恢复时间与能效有较高要求的电力电子电路中, 有效支持系统在高频率下的稳定运行。
RFV8TJ6SGC9-HXY特性
暂无产品特性。
RFV8TJ6SGC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
