RFV8TG6SGC9-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
RFV8TG6SGC9-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场景, 其快速恢复特性有助于降低开关损耗, 提升系统整体效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
RFV8TG6SGC9-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
RFV8TG6SGC9-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 具备优异的导通与阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场景, 其快速恢复特性有助于降低开关损耗, 提升系统整体效率。
RFV8TG6SGC9-HXY特性
暂无产品特性。
RFV8TG6SGC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
