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RFP6N50-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

RFP6N50-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为500V, 连续漏极电流4.5A, 导通电阻1200毫欧, 栅源电压耐受值30V。 器件适用于高压开关应用, 如电源适配器、LED驱动及电机控制电路。 其参数组合在承受高电压的同时提供稳定的电流传输能力, 适合作为各类电子设备中的功率开关元件, 实现电能的高效转换与控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

23

货期

现货

RFP6N50-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

RFP6N50-HXY概述

该N沟道场效应管漏源击穿电压为500V, 连续漏极电流4.5A, 导通电阻1200毫欧, 栅源电压耐受值30V。 器件适用于高压开关应用, 如电源适配器、LED驱动及电机控制电路。 其参数组合在承受高电压的同时提供稳定的电流传输能力, 适合作为各类电子设备中的功率开关元件, 实现电能的高效转换与控制。

RFP6N50-HXY特性

暂无产品特性。

RFP6N50-HXY应用领域

暂无应用领域。

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