RFP6N50-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
RFP6N50-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为500V, 连续漏极电流4.5A, 导通电阻1200毫欧, 栅源电压耐受值30V。 器件适用于高压开关应用, 如电源适配器、LED驱动及电机控制电路。 其参数组合在承受高电压的同时提供稳定的电流传输能力, 适合作为各类电子设备中的功率开关元件, 实现电能的高效转换与控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
23
货期
现货
RFP6N50-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
RFP6N50-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为500V, 连续漏极电流4.5A, 导通电阻1200毫欧, 栅源电压耐受值30V。 器件适用于高压开关应用, 如电源适配器、LED驱动及电机控制电路。 其参数组合在承受高电压的同时提供稳定的电流传输能力, 适合作为各类电子设备中的功率开关元件, 实现电能的高效转换与控制。
RFP6N50-HXY特性
暂无产品特性。
RFP6N50-HXY应用领域
暂无应用领域。
