RFP50N06
IC
TO-220AB
可供量大可议
RFP50N06
此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。 此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸, 可实现硅的优化利用, 因此性能非常出色。 此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可直接在集成电路中运行。 之前的开发型号为 TA09526。
品牌
onsemi
封装
TO-220AB
库存
93
货期
现货
RFP50N06参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 93 |
RFP50N06概述
此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。 此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸, 可实现硅的优化利用, 因此性能非常出色。 此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可直接在集成电路中运行。 之前的开发型号为 TA09526。
RFP50N06特性
暂无产品特性。
RFP50N06应用领域
暂无应用领域。
