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RFN3LB6STBR1-HXY
IC

SMB

可供量大可议

RFN3LB6STBR1-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达80A的峰值正向电流(IFSM)。 器件具备快速反向恢复特性, 有助于减少开关损耗并提升系统效率, 适用于对高频整流和能量转换性能要求较高的电源拓扑结构。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

45

货期

现货

RFN3LB6STBR1-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存45

RFN3LB6STBR1-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达80A的峰值正向电流(IFSM)。 器件具备快速反向恢复特性, 有助于减少开关损耗并提升系统效率, 适用于对高频整流和能量转换性能要求较高的电源拓扑结构。

RFN3LB6STBR1-HXY特性

暂无产品特性。

RFN3LB6STBR1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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