RFN3LB6STBR1-HXY
IC
SMB
可供量大可议
RFN3LB6STBR1-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达80A的峰值正向电流(IFSM)。 器件具备快速反向恢复特性, 有助于减少开关损耗并提升系统效率, 适用于对高频整流和能量转换性能要求较高的电源拓扑结构。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
45
货期
现货
RFN3LB6STBR1-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
RFN3LB6STBR1-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达80A的峰值正向电流(IFSM)。 器件具备快速反向恢复特性, 有助于减少开关损耗并提升系统效率, 适用于对高频整流和能量转换性能要求较高的电源拓扑结构。
RFN3LB6STBR1-HXY特性
暂无产品特性。
RFN3LB6STBR1-HXY应用领域
暂无应用领域。
