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RFN2LB6STBR1-HXY
IC

SMB

可供量大可议

RFN2LB6STBR1-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达60A的峰值正向电流(IFSM)。 器件具备快速恢复特性, 有效降低开关过程中的能量损耗, 适用于对转换效率和动态响应有较高要求的电源及整流电路。

Brand

HXY MOSFET

Package

SMB

Stock

45

货期

现货

RFN2LB6STBR1-HXYParameters

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存45

RFN2LB6STBR1-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达60A的峰值正向电流(IFSM)。 器件具备快速恢复特性, 有效降低开关过程中的能量损耗, 适用于对转换效率和动态响应有较高要求的电源及整流电路。

RFN2LB6STBR1-HXY特性

暂无产品特性。

RFN2LB6STBR1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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