RFN2LB6STBR1-HXY
IC
SMB
可供量大可议
RFN2LB6STBR1-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达60A的峰值正向电流(IFSM)。 器件具备快速恢复特性, 有效降低开关过程中的能量损耗, 适用于对转换效率和动态响应有较高要求的电源及整流电路。
Brand
HXY MOSFET
Package
SMB
Stock
45
货期
现货
RFN2LB6STBR1-HXYParameters
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
RFN2LB6STBR1-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达60A的峰值正向电流(IFSM)。 器件具备快速恢复特性, 有效降低开关过程中的能量损耗, 适用于对转换效率和动态响应有较高要求的电源及整流电路。
RFN2LB6STBR1-HXY特性
暂无产品特性。
RFN2LB6STBR1-HXY应用领域
暂无应用领域。
