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RFM6P10-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

RFM6P10-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO220; P—Channel沟道; -100V; -18A; RDS(ON)=167(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-2V; 采用Trench技术

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

10

货期

现货

RFM6P10-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

RFM6P10-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO220; P—Channel沟道; -100V; -18A; RDS(ON)=167(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-2V; 采用Trench技术

RFM6P10-VB特性

暂无产品特性。

RFM6P10-VB应用领域

暂无应用领域。

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