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RFD8P06LESM-VB
IC

TO-252

可供量大可议

RFD8P06LESM-VB

P沟道; 电压:-60V; 电流:-30A; 导通电阻:61(mΩ)

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

5

货期

现货

RFD8P06LESM-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

RFD8P06LESM-VB概述

P沟道; 电压:-60V; 电流:-30A; 导通电阻:61(mΩ)

RFD8P06LESM-VB特性

暂无产品特性。

RFD8P06LESM-VB应用领域

暂无应用领域。

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