RFD3055LESM9A-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RFD3055LESM9A-HXY
这款N沟道场效应管在60V耐压平台下实现了优秀的能效平衡。 其88mΩ的导通电阻配合8A的连续漏极电流, 能够有效抑制大电流工况下的热损耗, 配合20V的栅极驱动能力, 确保了开关动作的精准与稳定。 它非常适合应用于各类DC-DC转换电路、开关电源及电机驱动模块中。 作为主开关管或同步整流管, 它能从容应对中压系统的功率切换需求, 在保证电路可靠性的同时, 显著提升整体能源转换效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
40
货期
现货
RFD3055LESM9A-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
RFD3055LESM9A-HXY概述
这款N沟道场效应管在60V耐压平台下实现了优秀的能效平衡。 其88mΩ的导通电阻配合8A的连续漏极电流, 能够有效抑制大电流工况下的热损耗, 配合20V的栅极驱动能力, 确保了开关动作的精准与稳定。 它非常适合应用于各类DC-DC转换电路、开关电源及电机驱动模块中。 作为主开关管或同步整流管, 它能从容应对中压系统的功率切换需求, 在保证电路可靠性的同时, 显著提升整体能源转换效率。
RFD3055LESM9A-HXY特性
暂无产品特性。
RFD3055LESM9A-HXY应用领域
暂无应用领域。
