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RFD3055LESM9A-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RFD3055LESM9A-HXY

这款N沟道场效应管在60V耐压平台下实现了优秀的能效平衡。 其88mΩ的导通电阻配合8A的连续漏极电流, 能够有效抑制大电流工况下的热损耗, 配合20V的栅极驱动能力, 确保了开关动作的精准与稳定。 它非常适合应用于各类DC-DC转换电路、开关电源及电机驱动模块中。 作为主开关管或同步整流管, 它能从容应对中压系统的功率切换需求, 在保证电路可靠性的同时, 显著提升整体能源转换效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

40

货期

现货

RFD3055LESM9A-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

RFD3055LESM9A-HXY概述

这款N沟道场效应管在60V耐压平台下实现了优秀的能效平衡。 其88mΩ的导通电阻配合8A的连续漏极电流, 能够有效抑制大电流工况下的热损耗, 配合20V的栅极驱动能力, 确保了开关动作的精准与稳定。 它非常适合应用于各类DC-DC转换电路、开关电源及电机驱动模块中。 作为主开关管或同步整流管, 它能从容应对中压系统的功率切换需求, 在保证电路可靠性的同时, 显著提升整体能源转换效率。

RFD3055LESM9A-HXY特性

暂无产品特性。

RFD3055LESM9A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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