RFD3055LESM9A

此类 N 沟道增强模式功率 MOSFET 使用最新的制造工艺生产。 此工艺使用接近 LSI 电路的特性尺寸， 可实现硅的优化利用， 因此性能非常出色。 此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可直接在集成电路中运行。 之前的开发型号为 TA49158。