RFD16N05LSM9A(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
RFD16N05LSM9A(UMW)
特性：VDS(V) = 60V。 RDS(ON) < 47mΩ (VGS = 5V)。 UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)。 为5V栅极驱动优化设计。 SOA受功率耗散限制。 纳秒级开关速度。 线性传输特性。 高输入阻抗。 多数载流子器件。 可直接由CMOS、NMOS和TTL电路驱动
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
730
货期
现货
RFD16N05LSM9A(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 730 |
RFD16N05LSM9A(UMW)概述
特性：VDS(V) = 60V。 RDS(ON) < 47mΩ (VGS = 5V)。 UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)。 为5V栅极驱动优化设计。 SOA受功率耗散限制。 纳秒级开关速度。 线性传输特性。 高输入阻抗。 多数载流子器件。 可直接由CMOS、NMOS和TTL电路驱动
RFD16N05LSM9A(UMW)特性
暂无产品特性。
RFD16N05LSM9A(UMW)应用领域
暂无应用领域。