RFD16N05LS-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RFD16N05LS-HXY
此N型场效应管具备20A的电流承载能力与60V的工作电压范围， 内阻典型值低至27mΩ， 有助于降低能耗。 支持20V的栅源电压
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
45
货期
现货
RFD16N05LS-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
RFD16N05LS-HXY概述
此N型场效应管具备20A的电流承载能力与60V的工作电压范围， 内阻典型值低至27mΩ， 有助于降低能耗。 支持20V的栅源电压
RFD16N05LS-HXY特性
暂无产品特性。
RFD16N05LS-HXY应用领域
暂无应用领域。