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RFD14N05LSM-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RFD14N05LSM-HXY

这款场效应管为N型, 电流为20A, 可满足特定功率需求。 电压达60V, 适用于多种常见电路环境。 内阻典型值27mR, 能量损耗稍大。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

5

货期

现货

RFD14N05LSM-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5

RFD14N05LSM-HXY概述

这款场效应管为N型, 电流为20A, 可满足特定功率需求。 电压达60V, 适用于多种常见电路环境。 内阻典型值27mR, 能量损耗稍大。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流控制。

RFD14N05LSM-HXY特性

暂无产品特性。

RFD14N05LSM-HXY应用领域

暂无应用领域。

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