RFD14N05LSM-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RFD14N05LSM-HXY
这款场效应管为N型, 电流为20A, 可满足特定功率需求。 电压达60V, 适用于多种常见电路环境。 内阻典型值27mR, 能量损耗稍大。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
5
货期
现货
RFD14N05LSM-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
RFD14N05LSM-HXY概述
这款场效应管为N型, 电流为20A, 可满足特定功率需求。 电压达60V, 适用于多种常见电路环境。 内阻典型值27mR, 能量损耗稍大。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流控制。
RFD14N05LSM-HXY特性
暂无产品特性。
RFD14N05LSM-HXY应用领域
暂无应用领域。
