RFD14N05LSM

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。 此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸， 可实现硅的优化利用， 因此性能非常出色。 此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。 此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的， 该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导， 因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。 之前的开发型号为 TA09870。