RFD12N06RLESM9A(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
RFD12N06RLESM9A(UMW)
特性：VDS(V)=60V。 RDS(ON)<63mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<71mΩ(VGS=5V)。 超低导通电阻。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。 开关时间与RGS曲线
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
1,815
货期
现货
RFD12N06RLESM9A(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1815 |
RFD12N06RLESM9A(UMW)概述
特性：VDS(V)=60V。 RDS(ON)<63mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<71mΩ(VGS=5V)。 超低导通电阻。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。 开关时间与RGS曲线
RFD12N06RLESM9A(UMW)特性
暂无产品特性。
RFD12N06RLESM9A(UMW)应用领域
暂无应用领域。