RFD12N06RLES-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RFD12N06RLES-HXY
此场效应管为N型, 电流20A, 可承担一定功率负载。 电压60V, 能在多种常见电路中稳定运行。 内阻典型值27mR, 能量损耗相对较高。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流调控。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
145
货期
现货
RFD12N06RLES-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
RFD12N06RLES-HXY概述
此场效应管为N型, 电流20A, 可承担一定功率负载。 电压60V, 能在多种常见电路中稳定运行。 内阻典型值27mR, 能量损耗相对较高。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流调控。
RFD12N06RLES-HXY特性
暂无产品特性。
RFD12N06RLES-HXY应用领域
暂无应用领域。
