库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
RFD12N06RLES-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RFD12N06RLES-HXY

此场效应管为N型, 电流20A, 可承担一定功率负载。 电压60V, 能在多种常见电路中稳定运行。 内阻典型值27mR, 能量损耗相对较高。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流调控。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

145

货期

现货

RFD12N06RLES-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存145

RFD12N06RLES-HXY概述

此场效应管为N型, 电流20A, 可承担一定功率负载。 电压60V, 能在多种常见电路中稳定运行。 内阻典型值27mR, 能量损耗相对较高。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流调控。

RFD12N06RLES-HXY特性

暂无产品特性。

RFD12N06RLES-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件