RF4G060ATTCR
IC
DFN2020-8S
可供量大可议
RF4G060ATTCR
1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
品牌
ROHM
封装
DFN2020-8S
库存
1
货期
现货
RF4G060ATTCR参数
| 封装 | DFN2020-8S |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@10V |
| 类型 | P沟道 |
| 商品型号 | RF4G060ATTCR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1.6667e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 880pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:40V 电流:6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
RF4G060ATTCR概述
1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
RF4G060ATTCR特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装（HUML2020L8）
- 无铅电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤
RF4G060ATTCR应用领域
- 开关
- 负载开关