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RF1005TF6SFHC9-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

RF1005TF6SFHC9-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.37V。 器件具备80A的非重复浪涌正向电流能力, 可在瞬态高电流条件下保持可靠运行。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关和高温环境中展现出低损耗与高稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换及电力电子应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

22

货期

现货

RF1005TF6SFHC9-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存22

RF1005TF6SFHC9-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.37V。 器件具备80A的非重复浪涌正向电流能力, 可在瞬态高电流条件下保持可靠运行。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关和高温环境中展现出低损耗与高稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换及电力电子应用。

RF1005TF6SFHC9-HXY特性

暂无产品特性。

RF1005TF6SFHC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

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