RF1005TF6SFHC9-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
RF1005TF6SFHC9-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.37V。 器件具备80A的非重复浪涌正向电流能力, 可在瞬态高电流条件下保持可靠运行。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关和高温环境中展现出低损耗与高稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换及电力电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
22
货期
现货
RF1005TF6SFHC9-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
RF1005TF6SFHC9-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.37V。 器件具备80A的非重复浪涌正向电流能力, 可在瞬态高电流条件下保持可靠运行。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关和高温环境中展现出低损耗与高稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换及电力电子应用。
RF1005TF6SFHC9-HXY特性
暂无产品特性。
RF1005TF6SFHC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
