REF54250CDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
REF54250CDR
是一系列高精度、低漂移、低电流消耗的串联电压基准器件。 提供低温漂系数(0.8ppm/°C)、低噪声(0.11ppmₚ₋ₚ)和高精度(±0.02%)， 同时消耗260μA电流。 具有低长期漂移(25ppm)以及出色的负载和线路调整率， 有助于满足高精度应用的严格性能要求。 该器件系列设计为ADS8900B、ADS127L11、ADS1285和DAC11001B等高分辨率数据转换器的配套器件
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
141
货期
现货
REF54250CDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 电压基准芯片 |
|---|---|
| 库存 | 141 |
REF54250CDR概述
是一系列高精度、低漂移、低电流消耗的串联电压基准器件。 提供低温漂系数(0.8ppm/°C)、低噪声(0.11ppmₚ₋ₚ)和高精度(±0.02%)， 同时消耗260μA电流。 具有低长期漂移(25ppm)以及出色的负载和线路调整率， 有助于满足高精度应用的严格性能要求。 该器件系列设计为ADS8900B、ADS127L11、ADS1285和DAC11001B等高分辨率数据转换器的配套器件
REF54250CDR特性
暂无产品特性。
REF54250CDR应用领域
暂无应用领域。