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REF5025EIDR
IC

SOIC-8

可供量大可议

REF5025EIDR

是一款噪声低、漂移低、精度电压基准极高的产品系列。 这些基准同时支持灌电流和拉电流, 并且具有出色的线性调整率和负载调整率。 采用专有的设计技术实现了出色的温漂 (2.5ppm/℃) 和高精度 (0.025%)。 这些特性加之非常低的闪烁噪声(0.5μVₚ₋ₚ/V), 使其非常适合用于高精度数据采集系统。 提供增强等级、高等级和标准等级。 在8引脚SOIC和VSSOP封装中提供基准电压, 指定温度范围为 -40℃ 至 125℃。 增强等级支持42V的宽电源电压额定值和340μA的超低IQ。 宽电源电压范围允许直接连接电池或现场电源, 还可以在电源IC发生故障时保护器件。

品牌

TI

封装

SOIC-8

库存

47

货期

现货

REF5025EIDR参数

封装SOIC-8
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类电压基准芯片
库存47

REF5025EIDR概述

是一款噪声低、漂移低、精度电压基准极高的产品系列。 这些基准同时支持灌电流和拉电流, 并且具有出色的线性调整率和负载调整率。 采用专有的设计技术实现了出色的温漂 (2.5ppm/℃) 和高精度 (0.025%)。 这些特性加之非常低的闪烁噪声(0.5μVₚ₋ₚ/V), 使其非常适合用于高精度数据采集系统。 提供增强等级、高等级和标准等级。 在8引脚SOIC和VSSOP封装中提供基准电压, 指定温度范围为 -40℃ 至 125℃。 增强等级支持42V的宽电源电压额定值和340μA的超低IQ。 宽电源电压范围允许直接连接电池或现场电源, 还可以在电源IC发生故障时保护器件。

REF5025EIDR特性

暂无产品特性。

REF5025EIDR应用领域

暂无应用领域。

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