REF5025EIDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
REF5025EIDR
是一款噪声低、漂移低、精度电压基准极高的产品系列。 这些基准同时支持灌电流和拉电流, 并且具有出色的线性调整率和负载调整率。 采用专有的设计技术实现了出色的温漂 (2.5ppm/℃) 和高精度 (0.025%)。 这些特性加之非常低的闪烁噪声(0.5μVₚ₋ₚ/V), 使其非常适合用于高精度数据采集系统。 提供增强等级、高等级和标准等级。 在8引脚SOIC和VSSOP封装中提供基准电压, 指定温度范围为 -40℃ 至 125℃。 增强等级支持42V的宽电源电压额定值和340μA的超低IQ。 宽电源电压范围允许直接连接电池或现场电源, 还可以在电源IC发生故障时保护器件。
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
47
货期
现货
REF5025EIDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 电压基准芯片 |
|---|---|
| 库存 | 47 |
REF5025EIDR概述
是一款噪声低、漂移低、精度电压基准极高的产品系列。 这些基准同时支持灌电流和拉电流, 并且具有出色的线性调整率和负载调整率。 采用专有的设计技术实现了出色的温漂 (2.5ppm/℃) 和高精度 (0.025%)。 这些特性加之非常低的闪烁噪声(0.5μVₚ₋ₚ/V), 使其非常适合用于高精度数据采集系统。 提供增强等级、高等级和标准等级。 在8引脚SOIC和VSSOP封装中提供基准电压, 指定温度范围为 -40℃ 至 125℃。 增强等级支持42V的宽电源电压额定值和340μA的超低IQ。 宽电源电压范围允许直接连接电池或现场电源, 还可以在电源IC发生故障时保护器件。
REF5025EIDR特性
暂无产品特性。
REF5025EIDR应用领域
暂无应用领域。
