RD3P200SNFRATL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RD3P200SNFRATL-HXY
RD3P200SNFRATL 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用行业标准TO-252-2L封装, 适用于高功率、大电流应用场景。 该器件具备100V的高耐压值和高达30A的连续电流承载力, 确保在电力转换、电机驱动等领域的稳定运作。 其引人注目的35mΩ导通电阻使得在大电流工作状态下的能量损耗降至最低, 从而提高整体能效。 这款MOS管是实现高效、节能电子系统的首选元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
18
货期
现货
RD3P200SNFRATL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
RD3P200SNFRATL-HXY概述
RD3P200SNFRATL 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用行业标准TO-252-2L封装, 适用于高功率、大电流应用场景。 该器件具备100V的高耐压值和高达30A的连续电流承载力, 确保在电力转换、电机驱动等领域的稳定运作。 其引人注目的35mΩ导通电阻使得在大电流工作状态下的能量损耗降至最低, 从而提高整体能效。 这款MOS管是实现高效、节能电子系统的首选元件。
RD3P200SNFRATL-HXY特性
暂无产品特性。
RD3P200SNFRATL-HXY应用领域
暂无应用领域。
