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RD3P130SPFRATL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RD3P130SPFRATL-HXY

这款P沟道场效应管专为100V中压电路设计, 具备15A的持续电流处理能力。 其核心优势在于140mΩ的低导通电阻, 能有效降低通路损耗, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了驱动设计的容错空间。 器件利用空穴导电原理, 非常适合用于电源输入端的防反接保护、电池管理系统的充放电开关, 以及需要高侧负载切换的便携式设备中, 确保电路控制的稳定性与高效性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

24

货期

现货

RD3P130SPFRATL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

RD3P130SPFRATL-HXY概述

这款P沟道场效应管专为100V中压电路设计, 具备15A的持续电流处理能力。 其核心优势在于140mΩ的低导通电阻, 能有效降低通路损耗, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了驱动设计的容错空间。 器件利用空穴导电原理, 非常适合用于电源输入端的防反接保护、电池管理系统的充放电开关, 以及需要高侧负载切换的便携式设备中, 确保电路控制的稳定性与高效性。

RD3P130SPFRATL-HXY特性

暂无产品特性。

RD3P130SPFRATL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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