RD3P130SPFRATL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RD3P130SPFRATL-HXY
这款P沟道场效应管专为100V中压电路设计, 具备15A的持续电流处理能力。 其核心优势在于140mΩ的低导通电阻, 能有效降低通路损耗, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了驱动设计的容错空间。 器件利用空穴导电原理, 非常适合用于电源输入端的防反接保护、电池管理系统的充放电开关, 以及需要高侧负载切换的便携式设备中, 确保电路控制的稳定性与高效性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
24
货期
现货
RD3P130SPFRATL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
RD3P130SPFRATL-HXY概述
这款P沟道场效应管专为100V中压电路设计, 具备15A的持续电流处理能力。 其核心优势在于140mΩ的低导通电阻, 能有效降低通路损耗, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了驱动设计的容错空间。 器件利用空穴导电原理, 非常适合用于电源输入端的防反接保护、电池管理系统的充放电开关, 以及需要高侧负载切换的便携式设备中, 确保电路控制的稳定性与高效性。
RD3P130SPFRATL-HXY特性
暂无产品特性。
RD3P130SPFRATL-HXY应用领域
暂无应用领域。
