RD3P100SNTL1-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 最大漏极电流ID为15A， 漏源击穿电压VDSS达100V， 适用于中高压功率转换场景。 导通电阻RDON为100mΩ， 有助于减少导通状态下的功率损耗， 提高系统整体效率。 该器件具备良好的热稳定性和耐用性， 适合用于电源管理、开关电路、电池供电设备及消费类电子产品中的功率控制应用。 其性能参数可满足多种常见功率设计需求， 适用于多类通用电子系统的开发与实现。