RD3P100SNFRATL-HXY

本产品为N沟道场效应管（MOSFET）， 具备15A的最大漏极电流ID和100V的漏源击穿电压VDSS， 适用于多种中高压功率应用场合。 导通电阻RDON为100mΩ， 有助于降低导通损耗， 提升整体效率。 器件采用稳定可靠的制造工艺， 具有良好的热性能与耐久性， 适合用于电源转换、开关控制、电池管理系统及消费类电子设备中的功率切换场景。 其参数特性可满足多数常规功率设计需求， 适用于广泛领域的电路设计方案。