RD3P06BBLHRBTL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RD3P06BBLHRBTL-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为60安培, 漏源击穿电压达100伏, 导通电阻典型值为13.5毫欧。 器件具备低导通损耗特性, 适用于中大功率开关电路、直流电机驱动及电源转换模块。 其参数设计兼顾效率与热管理, 适合需要快速切换和稳定电流控制的电子系统, 如服务器电源、储能设备及高性能计算平台的供电单元, 确保系统在持续负载下的可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
38
货期
现货
RD3P06BBLHRBTL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
RD3P06BBLHRBTL-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为60安培, 漏源击穿电压达100伏, 导通电阻典型值为13.5毫欧。 器件具备低导通损耗特性, 适用于中大功率开关电路、直流电机驱动及电源转换模块。 其参数设计兼顾效率与热管理, 适合需要快速切换和稳定电流控制的电子系统, 如服务器电源、储能设备及高性能计算平台的供电单元, 确保系统在持续负载下的可靠运行。
RD3P06BBLHRBTL-HXY特性
暂无产品特性。
RD3P06BBLHRBTL-HXY应用领域
暂无应用领域。
