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RD3P06BBLHRBTL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RD3P06BBLHRBTL-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为60安培, 漏源击穿电压达100伏, 导通电阻典型值为13.5毫欧。 器件具备低导通损耗特性, 适用于中大功率开关电路、直流电机驱动及电源转换模块。 其参数设计兼顾效率与热管理, 适合需要快速切换和稳定电流控制的电子系统, 如服务器电源、储能设备及高性能计算平台的供电单元, 确保系统在持续负载下的可靠运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

38

货期

现货

RD3P06BBLHRBTL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存38

RD3P06BBLHRBTL-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为60安培, 漏源击穿电压达100伏, 导通电阻典型值为13.5毫欧。 器件具备低导通损耗特性, 适用于中大功率开关电路、直流电机驱动及电源转换模块。 其参数设计兼顾效率与热管理, 适合需要快速切换和稳定电流控制的电子系统, 如服务器电源、储能设备及高性能计算平台的供电单元, 确保系统在持续负载下的可靠运行。

RD3P06BBLHRBTL-HXY特性

暂无产品特性。

RD3P06BBLHRBTL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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