RD3P02BATTL1
IC
TO-252
可供量大可议
RD3P02BATTL1
P沟道功率MOSFET， 低导通电阻， 高功率小封装， 无铅镀层， 符合RoHS标准， 100% Rg和UIS测试， 无卤
品牌
ROHM
封装
TO-252
库存
10
货期
现货
RD3P02BATTL1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
RD3P02BATTL1概述
P沟道功率MOSFET， 低导通电阻， 高功率小封装， 无铅镀层， 符合RoHS标准， 100% Rg和UIS测试， 无卤
RD3P02BATTL1特性
暂无产品特性。
RD3P02BATTL1应用领域
暂无应用领域。